Samsung dự kiến mở rộng năng lực sản xuất DRAM, tăng nguồn cung bộ nhớ phục vụ AI và trung tâm dữ liệu thế hệ mới.
Samsung Electronics vừa công bố kế hoạch xây dựng một nhà máy sản xuất DRAM mới tại khu phức hợp Giheung, Yongin (Hàn Quốc) với công suất dự kiến đạt khoảng 100.000 tấm wafer mỗi tháng. Theo thông tin từ KEDGlobal, công ty đã quyết định từ bỏ các hoạt động nghiên cứu và phát triển (R&D) để tập trung vào sản xuất hàng loạt.
Nhà máy mới sẽ thay thế một cơ sở cũ được thành lập vào năm 1987 bởi doanh nhân Lee Byung-chull, người đã khuyến khích nhân viên theo đuổi “sự khám phá không giới hạn”. Tuy nhiên, Samsung đã phá dỡ cơ sở này vào cuối năm ngoái và hủy bỏ kế hoạch xây dựng 2 tòa nhà R&D thay thế.
Nhu cầu về bộ nhớ HBM (High Bandwidth Memory) đang gia tăng nhanh chóng khiến các nhà sản xuất DRAM không thể đáp ứng kịp thời. Tình trạng thiếu hụt này đã ảnh hưởng đến cả các chip thông dụng được sử dụng trong điện thoại và máy tính xách tay. Theo báo cáo của Counterpoint Research, doanh thu thị trường DRAM toàn cầu dự kiến sẽ tăng mạnh từ 150 tỷ USD lên 210 tỷ USD trong năm nay nhờ vào sự tăng giá sản phẩm.
Đội ngũ nội bộ của Samsung đã được thành lập và đang hướng tới việc khởi công nhà máy sản xuất DRAM mới vào quý 3 năm nay. Công ty cũng đang xem xét việc phá dỡ các tòa nhà hiện có tại Giheung để tạo không gian cho cơ sở hạ tầng sản xuất phụ trợ. Nhà máy sản xuất DRAM mới này nằm trong kế hoạch mở rộng năng lực sản xuất tại Pyeongtaek, nơi dây chuyền sản xuất số 4 đang được trang bị để sản xuất HBM4 với công suất tương tự 100.000 tấm wafer mỗi tháng.
