Việc chuyển sang một quy trình sản xuất nhỏ hơn cho phép các công ty giảm kích thước bóng bán dẫn, điều này mang lại những cải tiến về hiệu quả cũng như làm giảm tác độc của chip lên các tấm wafer. Vì con chip này nhỏ hơn nên nó chiếm ít không gian hơn ở cấp độ silicon, và điều này có nghĩa là chúng ta có thể nhận được nhiều chip chức năng hơn trên mỗi tấm wafer.
Nhưng chuyển sang quy trình sản xuất nâng cao hơn là một điều gì đó phức tạp đòi hỏi một quá trình phát triển đáng kể, và thường trong giai đoạn đầu tiên, các vấn đề lớn xảy ra như tỷ lệ thành công thấp trên mỗi tấm wafer và chip có độ ổn định kém hơn, hoặc hiệu suất tối đa thấp hơn.
Quy trình 12nm có độ hoàn thiện cao hơn và đặt ra thách thức hợp lý hơn nhiều so với quy trình 10nm mà các công ty đang hướng đến là lý do khiến Samsung chỉ dừng lại ở việc sản xuất hàng loại chip DDR5 16 Gb mới. Thế hệ chip mới này không được thiết kế để tăng hiệu suất hoặc mật độ bộ nhớ, thay vào đó công ty Hàn Quốc tập trung vào việc cải thiện tính ổn định và hiệu quả, vì chúng đã đạt được mức giảm tiêu thụ tới 23% so với thế hệ trước.
Samsung cũng đã giải thích rằng việc chuyển đổi từ quy trình 14nm sang 12nm có thể đạt được chủ yếu nhờ vào việc sử dụng vật liệu High-K mới, nghĩa là vật liệu mới có hằng số điện môi cao được sử dụng trong các cổng của bóng bán dẫn. Vật liệu đó cho phép Samsung tăng dung lượng tế bào và cải thiện tính toàn vẹn của tín hiệu, tránh rò rỉ điện qua các cổng logic. Tất cả điều này cũng chuyển thành một bộ nhớ ổn định và đáng tin cậy hơn, đồng thời nó sẽ làm giảm tốc độ làm mới của các cell bộ nhớ.
Mặt khác, việc sử dụng kỹ thuật in khắc cực tím (UV) cải tiến đã cho phép Samsung tăng 20% năng suất ở cấp độ tấm bán dẫn. Công ty Hàn Quốc tin chắc rằng vẫn còn chỗ để cải thiện và việc điều chỉnh cũng như cải tiến công nghệ FinFET của mình để có thể tăng tốc độ lên 30% và giảm 20% mức tiêu thụ.
