Các nhà sản xuất chip đang liên tục tìm kiếm vật liệu mới để thu nhỏ quy trình sản xuất chip nhằm đóng gói nhiều bóng bán dẫn hơn trong cùng diện tích và TSMC được cho là đã đạt bước đột phá mới.
Theo Neowin, không lâu sau khi IBM công bố phát triển thành công công nghệ tấm nano 2 nm, nhà sản xuất bán dẫn theo hợp đồng lớn nhất thế giới TSMC đã kết hợp với Đại học Đài Loan và Viện Công nghệ Massachusetts nhằm công bố phát triển một loại vật liệu gọi là “bismuth bán kim loại”, hy vọng sẽ cho phép sản xuất chip 1 nm trong những năm tới.
Khi các quy trình chế tạo ngày càng nhỏ, các nhà sản xuất chip phải đối mặt với vấn đề về điện trở cao hơn và dòng điện thấp hơn ở các điện cực tiếp xúc của bóng bán dẫn, chịu trách nhiệm mang lại năng lượng cho bóng bán dẫn.
Theo kết quả nghiên cứu được công bố trên tạp chí Nature, bằng cách sử dụng bismuth bán kim loại làm điện cực tiếp xúc của bóng bán dẫn, công ty và các đối tác khẳng định họ có thể giảm đáng kể điện trở đồng thời tăng cường độ dòng điện có thể truyền qua.
Mặc dù vậy, công nghệ này vẫn đang ở giai đoạn thử nghiệm và việc sản xuất số lượng lớn chip 1 nm sẽ còn phải chờ thêm nhiều năm nữa. Quy trình sản xuất chip khối lượng lớn hàng đầu hiện nay của TSMC là 5 nm, trong khi công ty cũng đã tuyên bố họ sẽ bắt đầu sản xuất chip 3 nm trong năm 2021 này.
