Chính quyền Hàn Quốc vừa thông báo đã truy tố 10 cựu giám đốc Samsung vì đánh cắp thông tin công nghệ và rò rỉ cho một công ty Trung Quốc.
Vào ngày 23/12/2025, Phòng Điều tra Tội phạm CNTT thuộc Văn phòng Công tố Quận Trung tâm Seoul đã bắt giữ và truy tố người phụ trách phát triển công nghệ DRAM 10nm tại ChangXin Memory Technologies (CXMT) của Trung Quốc, cùng 4 nhà phát triển khác. Đồng thời, 5 quản lý bộ phận phát triển khác cũng bị truy tố nhưng không bị tạm giam.
Theo các công tố viên, một trong những cá nhân bị truy tố là cựu nhà nghiên cứu chính của Samsung, người đã bị CXMT lôi kéo vào năm 2016 và đã sao chép, làm rò rỉ thông tin về công nghệ DRAM 10nm. Các công tố viên cho rằng CXMT đã sử dụng thông tin này để phát triển nền tảng công nghệ DRAM của mình. Ngoài ra, một cá nhân khác cũng bị nghi ngờ đã rò rỉ công nghệ quan trọng từ công ty SK Hynix của Hàn Quốc thông qua một công ty con.
CXMT được biết đến là công ty sản xuất chất bán dẫn DRAM đầu tiên và duy nhất của Trung Quốc, đã nhận được khoản đầu tư 2,5 tỷ USD từ chính phủ Trung Quốc. Công ty này bị cáo buộc đã chiếm đoạt công nghệ bán dẫn cốt lõi của Hàn Quốc nhằm giành lấy công nghệ xử lý DRAM hàng đầu thế giới và thiết lập vị thế trong lĩnh vực bộ nhớ băng thông cao (HBM). Các công tố viên ước tính thiệt hại đối với ngành công nghiệp bán dẫn trong nước, bao gồm cả Samsung, có thể lên tới 1,5 tỷ USD.
Tính đến tháng 1/2025, CXMT vẫn tiếp tục phát triển công nghệ sản xuất chất bán dẫn bất chấp các lệnh cấm xuất khẩu từ Mỹ. Theo thông tin từ Bloomberg, bộ nhớ DDR5 do CXMT phát triển sử dụng các kỹ thuật sản xuất tiên tiến chưa từng thấy trên thị trường nội địa Trung Quốc. Theo thông tin từ TechInsights cho biết: “CXMT đã tìm ra một phương pháp độc đáo để thiết kế và sản xuất DRAM DDR5 trên quy mô thương mại. Chúng tôi rất ngạc nhiên trước phát hiện này”.
