IBM và Samsung đã và đang làm việc cho công nghệ xếp chồng các bóng bán dẫn theo chiều dọc để giải phóng thêm không gian trên chip xử lý.
Các chuyên gia công nghệ IBM và Samsung đã cùng nhau tiết lộ một tiến bộ lớn trong thiết kế bán dẫn có thể dẫn đến pin điện thoại có thể kéo dài 1 tuần mà không cần sạc. Thiết kế mới được gọi là Bóng bán dẫn hiệu ứng trường vận chuyển dọc, gọi tắt là VTFET. Đó là loại bóng bán dẫn mới có thể được đóng gói dày hơn trên một chip so với bóng bán dẫn FinFET (hay bóng bán dẫn hiệu ứng trường vây).
IBM cho biết trong một tuyên bố rằng: “Tại các quy trình sản xuất nâng cao hiện nay, VTFET có thể được sử dụng để cung cấp hiệu suất gấp hai lần hoặc giảm tới 85% mức sử dụng năng lượng so với giải pháp thay thế FinFET được mở rộng”.
Được biết, VTFET có thể giúp cải thiện tốc độ chuyển mạch bóng bán dẫn và giảm nhu cầu điện năng.
IBM cho biết thêm: “Chúng tôi tin rằng thiết kế VTFET thể hiện một bước tiến nhảy vọt trong việc xây dựng các bóng bán dẫn thế hệ tiếp theo nhằm tạo ra xu hướng thiết bị nhỏ hơn, mạnh mẽ hơn và tiết kiệm năng lượng hơn trong những năm tới”.
Tuy nhiên, các công ty không cho biết khi nào công nghệ VTFET sẽ xuất hiện như một quy trình sản xuất chip chính thức.
